창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIB408DK-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SIB408DK | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 40m옴 @ 6A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 9.5nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 350pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 13W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® SC-75-6L | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® SC-75-6L 단일 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SIB408DK-T1-GE3-ND SIB408DK-T1-GE3TR SIB408DKT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIB408DK-T1-GE3 | |
관련 링크 | SIB408DK-, SIB408DK-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
2SA1182-GR(TE85L,F | TRANS PNP 30V 0.5A S-MINI | 2SA1182-GR(TE85L,F.pdf | ||
NLV32T-331J-EFD | 330µH Unshielded Wirewound Inductor 40mA 34 Ohm Max 1210 (3225 Metric) | NLV32T-331J-EFD.pdf | ||
RT2010FKE0716K2L | RES SMD 16.2K OHM 1% 1/2W 2010 | RT2010FKE0716K2L.pdf | ||
06N03LAG | 06N03LAG infineon SOT-263 | 06N03LAG.pdf | ||
709844009 | 709844009 Molex SMD or Through Hole | 709844009.pdf | ||
S2277-34.3680(T) | S2277-34.3680(T) ORIGINAL SMD or Through Hole | S2277-34.3680(T).pdf | ||
FB4227 | FB4227 FUJI TO-3P | FB4227.pdf | ||
IMSA-6801-01Y902 | IMSA-6801-01Y902 ORIGINAL SMD or Through Hole | IMSA-6801-01Y902.pdf | ||
XC3490A-5179PQ160C | XC3490A-5179PQ160C XILINX QFP | XC3490A-5179PQ160C.pdf | ||
RF5263WLPCK-410 | RF5263WLPCK-410 RFMD QFN16 | RF5263WLPCK-410.pdf | ||
JTOS-765P+ | JTOS-765P+ ORIGINAL ROHS | JTOS-765P+.pdf | ||
EKMG500ETE1R0ME11D | EKMG500ETE1R0ME11D NIPPON DIP | EKMG500ETE1R0ME11D.pdf |