창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIB404DK-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SIB404DK-T1-GE3 | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 12V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 9A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 19m옴 @ 3A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 800mV @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 15nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
전력 - 최대 | 13W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® SC-75-6L | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® SC-75-6L 단일 | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIB404DK-T1-GE3 | |
관련 링크 | SIB404DK-, SIB404DK-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
APC5568-3V-F | APC5568-3V-F BEL DIP24 | APC5568-3V-F.pdf | ||
BQ2060ADBQR | BQ2060ADBQR ORIGINAL OK | BQ2060ADBQR.pdf | ||
XTR101PA | XTR101PA TI dip-14 | XTR101PA.pdf | ||
IP3023BG288-250 | IP3023BG288-250 UBICOM BGA | IP3023BG288-250.pdf | ||
1C1210-2R2K | 1C1210-2R2K ORIGINAL SMD or Through Hole | 1C1210-2R2K.pdf | ||
88C5575M-NXC1 | 88C5575M-NXC1 MARVELL QFN | 88C5575M-NXC1.pdf | ||
MGF4953A-70 | MGF4953A-70 Renesas SMD or Through Hole | MGF4953A-70.pdf | ||
JRC2384D | JRC2384D ORIGINAL DIP | JRC2384D.pdf | ||
00ESD9B5.0ST5G | 00ESD9B5.0ST5G ORIGINAL SMD or Through Hole | 00ESD9B5.0ST5G.pdf | ||
BTA412Y-600C,127 | BTA412Y-600C,127 NXP SOT78 | BTA412Y-600C,127.pdf | ||
K7R321884C-FC30 | K7R321884C-FC30 SAMSUNG BGA | K7R321884C-FC30.pdf |