Vishay BC Components SIA931DJ-T1-GE3

SIA931DJ-T1-GE3
제조업체 부품 번호
SIA931DJ-T1-GE3
제조업 자
제품 카테고리
FET - 어레이
간단한 설명
MOSFET 2P-CH 30V 4.5A SC70-6L
데이터 시트 다운로드
다운로드
SIA931DJ-T1-GE3 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 174.65311
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 SIA931DJ-T1-GE3 재고가 있습니다. 우리는 Vishay BC Components 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Vishay BC Components 전자 부품 전문. SIA931DJ-T1-GE3 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. SIA931DJ-T1-GE3가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
SIA931DJ-T1-GE3 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
SIA931DJ-T1-GE3 매개 변수
내부 부품 번호EIS-SIA931DJ-T1-GE3
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서SIA931DJ
PCN 설계/사양SIL-001-2015-Rev-0 21/Jan/2015
PCN 조립/원산지Wafer Fab Addition 22/Jun/2015
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 어레이
제조업체Vishay Siliconix
계열TrenchFET®
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형2 P-Chan(이중)
FET 특징논리 레벨 게이트
드레인 - 소스 전압(Vdss)30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C4.5A
Rds On(최대) @ Id, Vgs65m옴 @ 3A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2.2V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs13nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds445pF @ 15V
전력 - 최대7.8W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스PowerPAK® SC-70-6 이중
공급 장치 패키지PowerPAK® SC-70-6 이중
표준 포장 3,000
다른 이름SIA931DJ-T1-GE3TR
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)SIA931DJ-T1-GE3
관련 링크SIA931DJ-, SIA931DJ-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통
SIA931DJ-T1-GE3 의 관련 제품
0.022µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.150" L x 0.100" W(3.81mm x 2.54mm) SR155C223JAA.pdf
MOSFET N-CH 1200V 29A T-MAX APT28M120B2.pdf
EKS-EVALBOT TI SMD or Through Hole EKS-EVALBOT.pdf
TMP88CP38BF TOS QFP TMP88CP38BF.pdf
XC3190L TQ144 XILINX QFP XC3190L TQ144.pdf
TRUEVIEW5600BF TVIA QFP208 TRUEVIEW5600BF.pdf
AD8541AR-REEL AD SOP-8 AD8541AR-REEL.pdf
LANF1505N WALL SIP12 LANF1505N.pdf
CSC2A01GP ORIGINAL SMDDIP CSC2A01GP.pdf
TSM881AW-6 SANYO SMD or Through Hole TSM881AW-6.pdf
STC90LE58AD-35I-PDIP STC PDIP STC90LE58AD-35I-PDIP.pdf