창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIA929DJ-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SIA929DJ-T1-GE3 | |
PCN 설계/사양 | SIL-001-2015-Rev-0 21/Jan/2015 | |
PCN 조립/원산지 | Wafer Fab Addition 22/Jun/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 P-Chan(이중) | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.5A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 64m옴 @ 3A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 21nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 575pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 7.8W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® SC-70-6 이중 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® SC-70-6 이중 | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIA929DJ-T1-GE3 | |
관련 링크 | SIA929DJ-, SIA929DJ-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | CRCW06036R04FNEA | RES SMD 6.04 OHM 1% 1/10W 0603 | CRCW06036R04FNEA.pdf | |
![]() | RCS06038K25FKEA | RES SMD 8.25K OHM 1% 1/4W 0603 | RCS06038K25FKEA.pdf | |
![]() | AD736JN/KN | AD736JN/KN AD DIP8 | AD736JN/KN.pdf | |
![]() | DE2E3KY152MA2BM01 | DE2E3KY152MA2BM01 MURATA SMD | DE2E3KY152MA2BM01.pdf | |
![]() | DA28F016S5-85 | DA28F016S5-85 INTEL SSOP56 | DA28F016S5-85.pdf | |
![]() | E28F016S3-120/3.3V | E28F016S3-120/3.3V INTEL SMD or Through Hole | E28F016S3-120/3.3V.pdf | |
![]() | LT1727-2.5 | LT1727-2.5 LT CS8 | LT1727-2.5.pdf | |
![]() | 2785V 40.640MHZ | 2785V 40.640MHZ NDK SMD or Through Hole | 2785V 40.640MHZ.pdf | |
![]() | TC7WH34FU(TE12R | TC7WH34FU(TE12R TOSHIBA SMD or Through Hole | TC7WH34FU(TE12R.pdf | |
![]() | 3CK9D | 3CK9D ORIGINAL CAN | 3CK9D.pdf | |
![]() | PCA-EP9730 | PCA-EP9730 ORIGINAL DIP8 | PCA-EP9730.pdf | |
![]() | RK73M2AJTD10MS | RK73M2AJTD10MS N/A SMD or Through Hole | RK73M2AJTD10MS.pdf |