창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SIA921EDJ-T4-GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SIA921EDJ | |
| PCN 설계/사양 | SIL-001-2015-Rev-0 21/Jan/2015 | |
| PCN 조립/원산지 | Wafer Fab Addition 22/Jun/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 P-Chan(이중) | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.5A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 59m옴 @ 3.6A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 23nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
| 전력 - 최대 | 7.8W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | PowerPAK® SC-70-6 이중 | |
| 공급 장치 패키지 | PowerPAK® SC-70-6 이중 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SIA921EDJ-T4-GE3 | |
| 관련 링크 | SIA921EDJ, SIA921EDJ-T4-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | IMT2/T2 | IMT2/T2 ROHM SMD or Through Hole | IMT2/T2.pdf | |
![]() | 1R5M | 1R5M ORIGINAL 3225 | 1R5M.pdf | |
![]() | M25-1722-B | M25-1722-B MIT SOP20 | M25-1722-B.pdf | |
![]() | PST3812U | PST3812U MITSUMI SOT143 | PST3812U.pdf | |
![]() | P89C51FB-4A | P89C51FB-4A PHILIPS SMD or Through Hole | P89C51FB-4A.pdf | |
![]() | 219-8LPSTR | 219-8LPSTR CTS SMD-16 | 219-8LPSTR.pdf | |
![]() | 2SK3056,2SK3059,2SJ492,2SK3224 | 2SK3056,2SK3059,2SJ492,2SK3224 NEC SMD or Through Hole | 2SK3056,2SK3059,2SJ492,2SK3224.pdf | |
![]() | F761663ZZD | F761663ZZD TI BGA | F761663ZZD.pdf | |
![]() | LH1779BAP | LH1779BAP AT&T PLCC28 | LH1779BAP.pdf | |
![]() | HD643364RB20H | HD643364RB20H HITACHI QFP | HD643364RB20H.pdf | |
![]() | GL1L5LS040S | GL1L5LS040S OTHER SMD or Through Hole | GL1L5LS040S.pdf | |
![]() | cm32w5r105k50at | cm32w5r105k50at KYOCERA/AVX SMD or Through Hole | cm32w5r105k50at.pdf |