창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIA915DJ-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SIA915DJ-T1-GE3 | |
PCN 설계/사양 | SIL-001-2015-Rev-0 21/Jan/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 P-Chan(이중) | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.5A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 87m옴 @ 2.9A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 9nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 275pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 6.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® SC-70-6 이중 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® SC-70-6 이중 | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIA915DJ-T1-GE3 | |
관련 링크 | SIA915DJ-, SIA915DJ-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | MPLAD15KP64CA | TVS DIODE 64VWM 103VC PLAD | MPLAD15KP64CA.pdf | |
![]() | FXO-HC736R-102.4 | 102.4MHz HCMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 47mA Enable/Disable | FXO-HC736R-102.4.pdf | |
![]() | ES1C | DIODE GEN PURP 150V 1A SMA | ES1C.pdf | |
![]() | SMBZ5945B-M3/5B | DIODE ZENER 68V 550MW DO214AA | SMBZ5945B-M3/5B.pdf | |
![]() | 2727-09H | 47µH Unshielded Toroidal Inductor 200mA 4.7 Ohm Max Radial | 2727-09H.pdf | |
![]() | K3531-01 | K3531-01 FUJI TO-220AB | K3531-01.pdf | |
![]() | 933976370215/BAT54C | 933976370215/BAT54C ORIGINAL SMD or Through Hole | 933976370215/BAT54C.pdf | |
![]() | Q65110-A4184 | Q65110-A4184 OSRAM Call | Q65110-A4184.pdf | |
![]() | UPG21218TB-E3 | UPG21218TB-E3 NEC SOT-363 | UPG21218TB-E3.pdf | |
![]() | SLP481C-20B | SLP481C-20B Sanyo N A | SLP481C-20B.pdf | |
![]() | NJM2769BRB1 (TE1) | NJM2769BRB1 (TE1) JRC TSOP | NJM2769BRB1 (TE1).pdf | |
![]() | VP41000SJ60 | VP41000SJ60 OTHER SMD or Through Hole | VP41000SJ60.pdf |