창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIA913ADJ-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SIA913ADJ | |
PCN 설계/사양 | SIL-001-2015-Rev-0 21/Jan/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 P-Chan(이중) | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 12V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.5A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 61m옴 @ 3.6A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 20nC(8V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 590pF @ 6V | |
전력 - 최대 | 6.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® SC-70-6 이중 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® SC-70-6 이중 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SIA913ADJ-T1-GE3-ND SIA913ADJ-T1-GE3TR SIA913ADJT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIA913ADJ-T1-GE3 | |
관련 링크 | SIA913ADJ, SIA913ADJ-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | VJ0603D1R8CXPAC | 1.8pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D1R8CXPAC.pdf | |
![]() | SATAULC6-2P6 | TVS DIODE 5VWM 19VC SOT666 | SATAULC6-2P6.pdf | |
![]() | CMF55511K00FKEB | RES 511K OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF55511K00FKEB.pdf | |
![]() | 62N30-040S | OPTICAL ENCODER | 62N30-040S.pdf | |
![]() | SA102A220JARN | SA102A220JARN AVX SMD or Through Hole | SA102A220JARN.pdf | |
![]() | MT6823 | MT6823 MT SOP16 | MT6823.pdf | |
![]() | FRF16A07 | FRF16A07 PANJIT ITO-220AC | FRF16A07.pdf | |
![]() | 1812WDT2-1LD | 1812WDT2-1LD COILCRAFT SMD2 | 1812WDT2-1LD.pdf | |
![]() | MB15E05-PFV1-G-BND | MB15E05-PFV1-G-BND FUJITSU SOP | MB15E05-PFV1-G-BND.pdf | |
![]() | 77773-302LF | 77773-302LF FCI SMD or Through Hole | 77773-302LF.pdf | |
![]() | GRM39B153K50 0603-153K | GRM39B153K50 0603-153K MURATA SMD or Through Hole | GRM39B153K50 0603-153K.pdf | |
![]() | TC4001BFN(ELF) | TC4001BFN(ELF) TOSHIBA SOL-14 | TC4001BFN(ELF).pdf |