창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIA913ADJ-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SIA913ADJ | |
PCN 설계/사양 | SIL-001-2015-Rev-0 21/Jan/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 P-Chan(이중) | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 12V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.5A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 61m옴 @ 3.6A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 20nC(8V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 590pF @ 6V | |
전력 - 최대 | 6.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® SC-70-6 이중 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® SC-70-6 이중 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SIA913ADJ-T1-GE3-ND SIA913ADJ-T1-GE3TR SIA913ADJT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIA913ADJ-T1-GE3 | |
관련 링크 | SIA913ADJ, SIA913ADJ-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | AA0603FR-07169RL | RES SMD 169 OHM 1% 1/10W 0603 | AA0603FR-07169RL.pdf | |
![]() | D2TO020CR4300KTE3 | RES SMD 0.43 OHM 10% 20W TO263 | D2TO020CR4300KTE3.pdf | |
![]() | CPU 80536 1.6/2M/400 | CPU 80536 1.6/2M/400 CPU BGA | CPU 80536 1.6/2M/400.pdf | |
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![]() | FPD87326/LPN4S101S6LR | FPD87326/LPN4S101S6LR LG QFP | FPD87326/LPN4S101S6LR.pdf | |
![]() | CXD8690Q | CXD8690Q SONY QFP | CXD8690Q.pdf | |
![]() | AD15002AD | AD15002AD AD SMD or Through Hole | AD15002AD.pdf | |
![]() | RBM-053.3S/P | RBM-053.3S/P ORIGINAL DC DC converter | RBM-053.3S/P.pdf | |
![]() | DBS135NP-8R2M | DBS135NP-8R2M COILS SMD | DBS135NP-8R2M.pdf | |
![]() | DM9102EP | DM9102EP DAVICOM QFP | DM9102EP.pdf | |
![]() | ISD33060E-WBN | ISD33060E-WBN ISD TSOP28 | ISD33060E-WBN.pdf | |
![]() | UC3256 | UC3256 NXP SMD or Through Hole | UC3256.pdf |