창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIA910EDJ-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SIA910EDJ | |
PCN 설계/사양 | SIL-001-2015-Rev-0 21/Jan/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 12V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.5A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 28m옴 @ 5.2A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 16nC(8V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 455pF @ 6V | |
전력 - 최대 | 7.8W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® SC-70-6 이중 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® SC-70-6 이중 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SIA910EDJ-T1-GE3TR SIA910EDJT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIA910EDJ-T1-GE3 | |
관련 링크 | SIA910EDJ, SIA910EDJ-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | C0402C105M8PACTU | 1µF 10V 세라믹 커패시터 X5R 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | C0402C105M8PACTU.pdf | |
![]() | MKP385551063JPP4T0 | 5.1µF Film Capacitor 220V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.654" L x 0.945" W (42.00mm x 24.00mm) | MKP385551063JPP4T0.pdf | |
![]() | PX2EN1XX150PSCHX | Pressure Sensor 150 PSI (1034.21 kPa) Sealed Gauge Male - 1/4" (6.35mm) NPT 4 mA ~ 20 mA Cylinder | PX2EN1XX150PSCHX.pdf | |
![]() | UMB6 | UMB6 ROHM SMD or Through Hole | UMB6.pdf | |
![]() | DP8391CV | DP8391CV NS PLCC28 | DP8391CV.pdf | |
![]() | STP16DPS05MTR | STP16DPS05MTR STMicroelectronics SOP24 | STP16DPS05MTR.pdf | |
![]() | TZ1008-01 | TZ1008-01 ORIGINAL TO-66 | TZ1008-01.pdf | |
![]() | QTH-030-03-L-D-K | QTH-030-03-L-D-K SAMTEC ORIGINAL | QTH-030-03-L-D-K.pdf | |
![]() | XC4028EXBG352 | XC4028EXBG352 XILINX BGA | XC4028EXBG352.pdf | |
![]() | UPC2001C | UPC2001C NEC SMD or Through Hole | UPC2001C.pdf |