창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIA906EDJ-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SIA906EDJ | |
PCN 설계/사양 | SIL-001-2015-Rev-0 21/Jan/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.5A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 46m옴 @ 3.9A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 12nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 350pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 7.8W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® SC-70-6 이중 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® SC-70-6 이중 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SIA906EDJ-T1-GE3-ND SIA906EDJ-T1-GE3TR SIA906EDJT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIA906EDJ-T1-GE3 | |
관련 링크 | SIA906EDJ, SIA906EDJ-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | KC7050T250.000P30E00 | 250MHz LVPECL SO (SAW) Oscillator Surface Mount 3.3V 90mA Standby (Power Down) | KC7050T250.000P30E00.pdf | |
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![]() | ERJ-S02F95R3X | RES SMD 95.3 OHM 1% 1/10W 0402 | ERJ-S02F95R3X.pdf | |
![]() | CRCW121811K0JNEK | RES SMD 11K OHM 5% 1W 1218 | CRCW121811K0JNEK.pdf | |
![]() | DWC2F200N060S | DWC2F200N060S DW SMD or Through Hole | DWC2F200N060S.pdf | |
![]() | B544-2 | B544-2 CRYDOM MODULE | B544-2.pdf | |
![]() | L4973D3.3v | L4973D3.3v ST SOP20 | L4973D3.3v.pdf | |
![]() | A7106E5-1.2 | A7106E5-1.2 AIT SOT23-5 | A7106E5-1.2.pdf | |
![]() | MB51957B | MB51957B MIT SOP8 | MB51957B.pdf | |
![]() | 16VXG18000M35X30 | 16VXG18000M35X30 RUBYCON DIP | 16VXG18000M35X30.pdf | |
![]() | 1912851114 | 1912851114 AMPHENOL SMD or Through Hole | 1912851114.pdf | |
![]() | LWT673-Q2R2-34L(Q2) | LWT673-Q2R2-34L(Q2) OSRAM SMD or Through Hole | LWT673-Q2R2-34L(Q2).pdf |