창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIA527DJ-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SIA527DJ | |
PCN 설계/사양 | SIL-001-2015-Rev-0 21/Jan/2015 | |
PCN 조립/원산지 | Wafer Fab Addition 22/Jun/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | N 및 P-Chan | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 12V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.5A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 29m옴 @ 5A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 15nC(8V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 500pF @ 6V | |
전력 - 최대 | 7.8W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® SC-70-6 이중 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® SC-70-6 이중 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SIA527DJ-T1-GE3TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIA527DJ-T1-GE3 | |
관련 링크 | SIA527DJ-, SIA527DJ-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | 50RX303.3MT78X11.5 | 3.3µF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 130°C | 50RX303.3MT78X11.5.pdf | |
![]() | YC324-FK-0742K2L | RES ARRAY 4 RES 42.2K OHM 2012 | YC324-FK-0742K2L.pdf | |
![]() | BDW94C-P | BDW94C-P ST TO-220 | BDW94C-P.pdf | |
![]() | WK80922004702G5C00 | WK80922004702G5C00 Vishay SMD or Through Hole | WK80922004702G5C00.pdf | |
![]() | LTA805N | LTA805N NXP SOP8 | LTA805N.pdf | |
![]() | 1M814W1 | 1M814W1 OHMEGA SMD or Through Hole | 1M814W1.pdf | |
![]() | P0995NL | P0995NL PULSE SMD or Through Hole | P0995NL.pdf | |
![]() | IRLML2502TR/PBF | IRLML2502TR/PBF IOR SMD or Through Hole | IRLML2502TR/PBF.pdf | |
![]() | BC637.126 | BC637.126 NXP SOT54 | BC637.126.pdf | |
![]() | AM27C040--120DI | AM27C040--120DI AMD SMD or Through Hole | AM27C040--120DI.pdf | |
![]() | PSC-8-1W+ | PSC-8-1W+ Mini-Circuits NA | PSC-8-1W+.pdf | |
![]() | STU452 | STU452 SAMHOP TO-252 | STU452.pdf |