창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIA519EDJ-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SIA519EDJ | |
PCN 설계/사양 | SIL-001-2015-Rev-0 21/Jan/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | N 및 P-Chan | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.5A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 40m옴 @ 4.2A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 12nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 350pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 7.8W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® SC-70-6 이중 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® SC-70-6 이중 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SIA519EDJ-T1-GE3TR SIA519EDJT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIA519EDJ-T1-GE3 | |
관련 링크 | SIA519EDJ, SIA519EDJ-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
510HBB-BBAG | 125MHz ~ 169.999MHz HCSL XO (Standard) Programmable Oscillator Surface Mount 2.5V 44mA Enable/Disable | 510HBB-BBAG.pdf | ||
LPT42 | AC/DC CONVERTER 5V +/-12V 40W | LPT42.pdf | ||
RPC1206JT1R60 | RES SMD 1.6 OHM 5% 1/3W 1206 | RPC1206JT1R60.pdf | ||
345000420068 | CERAMIC MANUAL RESET THERMOSTAT | 345000420068.pdf | ||
C1005X8R1H681K | C1005X8R1H681K TDK SMD | C1005X8R1H681K.pdf | ||
52559-4092 | 52559-4092 MOLEX SMD or Through Hole | 52559-4092.pdf | ||
FX-7J | FX-7J SUNX SMD or Through Hole | FX-7J.pdf | ||
ECJ1VB1C223K | ECJ1VB1C223K PANASONIC SMD | ECJ1VB1C223K.pdf | ||
S-80843CN | S-80843CN ORIGINAL TO-92 | S-80843CN.pdf | ||
5D18-100 | 5D18-100 ORIGINAL SMD or Through Hole | 5D18-100.pdf | ||
C0603BRNPO0BN2R2 | C0603BRNPO0BN2R2 YAGEO SMD | C0603BRNPO0BN2R2.pdf | ||
M67976-01 | M67976-01 MIT N A | M67976-01.pdf |