창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIA483DJ-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SIA483DJ | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
주요제품 | 12 V, -20 V, and -30 V Gen III P-Channel MOSFETs | |
PCN 조립/원산지 | Wafer Fab Addition 22/Jun/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 12A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 21m옴 @ 5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 45nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1550pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 19W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® SC-70-6 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® SC-70-6 단일 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SIA483DJ-T1-GE3TR SIA483DJT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIA483DJ-T1-GE3 | |
관련 링크 | SIA483DJ-, SIA483DJ-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | AA1218JK-07470KL | RES SMD 470K OHM 1W 1812 WIDE | AA1218JK-07470KL.pdf | |
![]() | MFR-25FBF52-105K | RES 105K OHM 1/4W 1% AXIAL | MFR-25FBF52-105K.pdf | |
![]() | 591D475X0016A2T15H | 591D475X0016A2T15H VISHAY A | 591D475X0016A2T15H.pdf | |
![]() | M5L8048-120P | M5L8048-120P MIT DIP40 | M5L8048-120P.pdf | |
![]() | CS1387 | CS1387 ROHM SOP-8L | CS1387.pdf | |
![]() | SLP146-1R0M | SLP146-1R0M ORIGINAL SMD or Through Hole | SLP146-1R0M.pdf | |
![]() | GMD033R71A822KA01D | GMD033R71A822KA01D MURATA SMD | GMD033R71A822KA01D.pdf | |
![]() | HZK16TR | HZK16TR RENESAS SMD or Through Hole | HZK16TR.pdf | |
![]() | GQM1885C2A6R0DB0 | GQM1885C2A6R0DB0 MURATA O603 | GQM1885C2A6R0DB0.pdf | |
![]() | TSM836EW-B | TSM836EW-B SANYO SMD or Through Hole | TSM836EW-B.pdf |