창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIA462DJ-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SIA462DJ | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 12A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 18m옴 @ 9A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 17nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 570pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 19W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® SC-70-6 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® SC-70-6 단일 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SIA462DJ-T1-GE3TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIA462DJ-T1-GE3 | |
관련 링크 | SIA462DJ-, SIA462DJ-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
STPS1L40A | DIODE SCHOTTKY 40V 1A SMA | STPS1L40A.pdf | ||
ERJ-1WYJ115U | RES SMD 1.1M OHM 5% 1W 2512 | ERJ-1WYJ115U.pdf | ||
RCP1206B1K20GEA | RES SMD 1.2K OHM 2% 11W 1206 | RCP1206B1K20GEA.pdf | ||
PAC300003908FAC000 | RES 3.9 OHM 3W 1% AXIAL | PAC300003908FAC000.pdf | ||
H4562RBCA | RES 562 OHM 1/2W 0.1% AXIAL | H4562RBCA.pdf | ||
BGU7005,115 | RF Amplifier IC GPS 850MHz, 1.9GHz 6-XSON, SOT886 (1.45x1) | BGU7005,115.pdf | ||
AF386 | AF386 MOT CAN | AF386.pdf | ||
TLZ16A-GS08.12 | TLZ16A-GS08.12 VISHAY SMD or Through Hole | TLZ16A-GS08.12.pdf | ||
77P2741 | 77P2741 FAIRCHILD ORIGIANL | 77P2741.pdf | ||
ST10026Q | ST10026Q LEVELONE SMD or Through Hole | ST10026Q.pdf | ||
SE1J106M6L005PC859 | SE1J106M6L005PC859 SAMWHA SMD or Through Hole | SE1J106M6L005PC859.pdf | ||
IDT6116L90C | IDT6116L90C IDT AUCDIP | IDT6116L90C.pdf |