Vishay BC Components SIA446DJ-T1-GE3
- 제조업체 부품 번호
- SIA446DJ-T1-GE3
- 제조업 자
- Vishay BC Components
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 150V 7.7A SC70-6L
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
SIA446DJ-T1-GE3 가격 및 조달
가능 수량
8550 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 240.18509
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 SIA446DJ-T1-GE3 재고가 있습니다. 우리는 Vishay BC Components 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Vishay BC Components 전자 부품 전문. SIA446DJ-T1-GE3 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. SIA446DJ-T1-GE3가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- SIA446DJ-T1-GE3 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
SIA446DJ-T1-GE3 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-SIA446DJ-T1-GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | PowerPAK SC70-6L Package Drawing SIA446DJ | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | ThunderFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7.7A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 177m옴 @ 3A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 8nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 230pF @ 75V | |
| 전력 - 최대 | 19W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | PowerPAK® SC-70-6 | |
| 공급 장치 패키지 | PowerPAK® SC-70-6 단일 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | SIA446DJ-T1-GE3TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SIA446DJ-T1-GE3 | |
| 관련 링크 | SIA446DJ-, SIA446DJ-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
SIA446DJ-T1-GE3 의 관련 제품
 | BFC237669184 | 0.18µF Film Capacitor 300V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.220" L x 0.591" W (31.00mm x 15.00mm) | BFC237669184.pdf | |
 | VS-16F120 | DIODE GEN PURP 1.2KV 16A DO203AA | VS-16F120.pdf | |
 | NLV32T-018J-PFD | 18nH Unshielded Wirewound Inductor 450mA 180 mOhm Max 1210 (3225 Metric) | NLV32T-018J-PFD.pdf | |
| IDC5020ER470M | 47µH Unshielded Wirewound Inductor 1.8A 140 mOhm Max Nonstandard | IDC5020ER470M.pdf | |
| CJT10022RJJ | RES CHAS MNT 22 OHM 5% 100W | CJT10022RJJ.pdf | |
 | PU3921FKM130R002L | RES SMD 0.002 OHM 1% 3W 3921 | PU3921FKM130R002L.pdf | |
 | MMP200FRF56K | RES SMD 56K OHM 1% 2W MELF | MMP200FRF56K.pdf | |
| R1113Z261B-TR-F | R1113Z261B-TR-F RICOH SMD | R1113Z261B-TR-F.pdf | |
| TL780-05CKTER | TL780-05CKTER TI TO220-3 | TL780-05CKTER.pdf | |
| RP1C107M6L011PA280 | RP1C107M6L011PA280 SAMWHA SMD or Through Hole | RP1C107M6L011PA280.pdf | |
| HVC202A1TRU | HVC202A1TRU HITACHI SMD or Through Hole | HVC202A1TRU.pdf | |
| HFI1008US-3R3G | HFI1008US-3R3G Bing-ri SMD | HFI1008US-3R3G.pdf |