창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIA433EDJ-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SIA433EDJ | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | Wafer Fab Addition 22/Jun/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 12A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 18m옴 @ 7.6A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 75nC(8V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
전력 - 최대 | 19W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® SC-70-6 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® SC-70-6 단일 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SIA433EDJ-T1-GE3TR SIA433EDJT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIA433EDJ-T1-GE3 | |
관련 링크 | SIA433EDJ, SIA433EDJ-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
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![]() | VJ0402D0R1BLXAJ | 0.10pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D0R1BLXAJ.pdf | |
![]() | Y14880R02000B9W | RES SMD 0.02 OHM 0.1% 2W 3637 | Y14880R02000B9W.pdf | |
![]() | DB51226-1A | DB51226-1A ITTCANNON SMD or Through Hole | DB51226-1A.pdf | |
![]() | MTCMR-H4-P1 | MTCMR-H4-P1 Multi-TechSystems Onlyoriginal | MTCMR-H4-P1.pdf | |
![]() | BA6870S | BA6870S ROHM DIP-24 | BA6870S.pdf | |
![]() | 38.3K | 38.3K ORIGINAL 1206 | 38.3K.pdf | |
![]() | BQ24007RGWEVM | BQ24007RGWEVM TI SMD or Through Hole | BQ24007RGWEVM.pdf | |
![]() | 350V110500106101 | 350V110500106101 PRECIDIP SMD or Through Hole | 350V110500106101.pdf | |
![]() | S-24CS04AFJ-V | S-24CS04AFJ-V SEK SOP8 | S-24CS04AFJ-V.pdf | |
![]() | 25.000+ | 25.000+ ORIGINAL SMD or Through Hole | 25.000+.pdf | |
![]() | RE3357 | RE3357 NEC TO-89 | RE3357.pdf |