창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIA426DJ-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SIA426DJ | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
카탈로그 페이지 | 1656 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.5A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 23.6m옴 @ 9.9A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 27nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1020pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 19W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® SC-70-6 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® SC-70-6 단일 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SIA426DJ-T1-GE3TR SIA426DJT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIA426DJ-T1-GE3 | |
관련 링크 | SIA426DJ-, SIA426DJ-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | ASFL1-48.000MHZ-ER-T | 48MHz HCMOS, TTL XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 45mA Enable/Disable | ASFL1-48.000MHZ-ER-T.pdf | |
![]() | RER125-19/06 | RER125-19/06 EBM-PAPST/WSI SMD or Through Hole | RER125-19/06.pdf | |
![]() | CY7C245-35PC | CY7C245-35PC CY DIP | CY7C245-35PC.pdf | |
![]() | PST25201B-220MS | PST25201B-220MS CYNTEC SMD | PST25201B-220MS.pdf | |
![]() | AAEZ | AAEZ N/A 6 SOT23 | AAEZ.pdf | |
![]() | NC7S266M5X | NC7S266M5X NS TO23 | NC7S266M5X.pdf | |
![]() | BZW06-21B | BZW06-21B ST/EIC SMD or Through Hole | BZW06-21B.pdf | |
![]() | RTC6597 | RTC6597 EPSON PLCC | RTC6597.pdf | |
![]() | SL82S09YP | SL82S09YP N/A DIP28 | SL82S09YP.pdf | |
![]() | HR06-120 | HR06-120 RUILON DIP | HR06-120.pdf |