창고: HONGKONG
								날짜 코드: 최신 Date Code
								제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SIA415DJ-E3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | SIA415DJ-E3 | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | QFN | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | SIA415DJ-E3 | |
| 관련 링크 | SIA415, SIA415DJ-E3 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
|  | RNS0J821MDN1 | 820µF 6.3V Aluminum - Polymer Capacitors Radial, Can 10 mOhm 2000 Hrs @ 105°C | RNS0J821MDN1.pdf | |
|  | S1812R-392F | 3.9µH Shielded Inductor 487mA 840 mOhm Max 1812 (4532 Metric) | S1812R-392F.pdf | |
|  | 16SA47M+T | 16SA47M+T sanyo SMD or Through Hole | 16SA47M+T.pdf | |
|  | SFH640-3 X007 | SFH640-3 X007 VISHAY DIPSOP | SFH640-3 X007.pdf | |
|  | KAL00R00KM | KAL00R00KM SAMSUNG BGA | KAL00R00KM.pdf | |
|  | TNETE2009PBE | TNETE2009PBE TI PQF-120 | TNETE2009PBE.pdf | |
|  | 107183-HMC233G8 | 107183-HMC233G8 HITTITE SMD or Through Hole | 107183-HMC233G8.pdf | |
|  | 150UH-3D16 | 150UH-3D16 LY SMD or Through Hole | 150UH-3D16.pdf | |
|  | MPC603RRX266TC | MPC603RRX266TC Freescale SMD or Through Hole | MPC603RRX266TC.pdf | |
|  | EP1K50TC144-3Q | EP1K50TC144-3Q ALTERA TQFP | EP1K50TC144-3Q.pdf | |
|  | G71VS18163CLT6 | G71VS18163CLT6 HYUNDAI SMD or Through Hole | G71VS18163CLT6.pdf | |
|  | HN58V65AT10-SR | HN58V65AT10-SR RENESAS TSSOP | HN58V65AT10-SR.pdf |