창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SIA408DJ-T1-GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SIA408DJ | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 주요제품 | Power MOSFETs in PowerPAK® SC-70 Package | |
| 카탈로그 페이지 | 1656 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.5A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 36m옴 @ 5.3A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.6V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 24nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 830pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 17.9W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | PowerPAK® SC-70-6 | |
| 공급 장치 패키지 | PowerPAK® SC-70-6 단일 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | SIA408DJ-T1-GE3TR SIA408DJT1GE3 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SIA408DJ-T1-GE3 | |
| 관련 링크 | SIA408DJ-, SIA408DJ-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | 871Y03 | 871Y03 NEC SSOP20 | 871Y03.pdf | |
![]() | HD74LS09FPEL | HD74LS09FPEL ORIGINAL SMD or Through Hole | HD74LS09FPEL.pdf | |
![]() | LBWA18HEPZ-135-MURATA(ECCN) | LBWA18HEPZ-135-MURATA(ECCN) ORIGINAL SMD or Through Hole | LBWA18HEPZ-135-MURATA(ECCN).pdf | |
![]() | PT492FK1/PT492F/PT492 | PT492FK1/PT492F/PT492 SHARP DIP-2 | PT492FK1/PT492F/PT492.pdf | |
![]() | MLK1005S3N3ST000-3.3N | MLK1005S3N3ST000-3.3N TDK SMD or Through Hole | MLK1005S3N3ST000-3.3N.pdf | |
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![]() | DAC1265LJ | DAC1265LJ NSC SMD or Through Hole | DAC1265LJ.pdf | |
![]() | PVM13A | PVM13A PROTON SMD or Through Hole | PVM13A.pdf | |
![]() | EM6K6N | EM6K6N ROHM SOT553 | EM6K6N.pdf | |
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![]() | CU808 | CU808 ORIGINAL BGA56 | CU808.pdf |