창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIA406DJ-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SIA406DJ | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 12V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.5A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 19.8m옴 @ 10.8A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 23nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1380pF @ 6V | |
전력 - 최대 | 19W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® SC-70-6 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® SC-70-6 단일 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SIA406DJ-T1-GE3TR SIA406DJT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIA406DJ-T1-GE3 | |
관련 링크 | SIA406DJ-, SIA406DJ-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | RG1005P-820-B-T5 | RES SMD 82 OHM 0.1% 1/16W 0402 | RG1005P-820-B-T5.pdf | |
![]() | EFCH1950MTE1 | EFCH1950MTE1 panasonic QFN | EFCH1950MTE1.pdf | |
![]() | AT25040N-10SI-EL | AT25040N-10SI-EL ATMEL SMD or Through Hole | AT25040N-10SI-EL.pdf | |
![]() | KPC357NTOEOOTI | KPC357NTOEOOTI COSMO SOP-4 | KPC357NTOEOOTI.pdf | |
![]() | 7705301XA | 7705301XA SILICONIX MIL | 7705301XA.pdf | |
![]() | U2Z16 | U2Z16 TOSHIBA I-FLAT2 | U2Z16.pdf | |
![]() | SI4378ADY | SI4378ADY VISHAY SOP-8 | SI4378ADY.pdf | |
![]() | V1321AF | V1321AF ORIGINAL BGA | V1321AF.pdf | |
![]() | 2N6771 | 2N6771 O TO-220 | 2N6771.pdf | |
![]() | SB2347 | SB2347 QFP INTEL | SB2347.pdf | |
![]() | MT3S03AT(TE85LF) | MT3S03AT(TE85LF) TOSHIBA SMD or Through Hole | MT3S03AT(TE85LF).pdf | |
![]() | LG-2402S-T | LG-2402S-T LANkon SMD or Through Hole | LG-2402S-T.pdf |