창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIA406DJ-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SIA406DJ | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 12V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.5A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 19.8m옴 @ 10.8A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 23nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1380pF @ 6V | |
전력 - 최대 | 19W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® SC-70-6 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® SC-70-6 단일 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SIA406DJ-T1-GE3TR SIA406DJT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIA406DJ-T1-GE3 | |
관련 링크 | SIA406DJ-, SIA406DJ-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
416F384X2CKR | 38.4MHz ±15ppm 수정 8pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F384X2CKR.pdf | ||
CRGH0603F887R | RES SMD 887 OHM 1% 1/5W 0603 | CRGH0603F887R.pdf | ||
RNF14FTD5M36 | RES 5.36M OHM 1/4W 1% AXIAL | RNF14FTD5M36.pdf | ||
AD12189 | AD12189 AD QFP | AD12189.pdf | ||
TVP7001 | TVP7001 TI QFP | TVP7001.pdf | ||
XC2C600FGG456 | XC2C600FGG456 XILINX BGA | XC2C600FGG456.pdf | ||
SFHG60MQ101**FIL PCS RX SAW | SFHG60MQ101**FIL PCS RX SAW ORIGINAL SMD or Through Hole | SFHG60MQ101**FIL PCS RX SAW.pdf | ||
12DF15E1-A | 12DF15E1-A ORIGINAL SMD or Through Hole | 12DF15E1-A.pdf | ||
K150K15COGFVAWA | K150K15COGFVAWA PHI SMD or Through Hole | K150K15COGFVAWA.pdf | ||
CA3102E | CA3102E ORIGINAL DIP | CA3102E .pdf | ||
1210CA272JAT1A | 1210CA272JAT1A AVX SMD | 1210CA272JAT1A.pdf |