홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » FET - 어레이 » SI9945BDY-T1-GE3

Vishay BC Components SI9945BDY-T1-GE3

SI9945BDY-T1-GE3
제조업체 부품 번호
SI9945BDY-T1-GE3
제조업 자
제품 카테고리
FET - 어레이
간단한 설명
MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC
데이터 시트 다운로드
다운로드
SI9945BDY-T1-GE3 가격 및 조달

가능 수량

18550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 318.76416
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 SI9945BDY-T1-GE3 재고가 있습니다. 우리는 Vishay BC Components 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Vishay BC Components 전자 부품 전문. SI9945BDY-T1-GE3 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. SI9945BDY-T1-GE3가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
SI9945BDY-T1-GE3 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
SI9945BDY-T1-GE3 매개 변수
내부 부품 번호EIS-SI9945BDY-T1-GE3
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서SI9945BDY
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 어레이
제조업체Vishay Siliconix
계열TrenchFET®
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형2 N-Chan(이중)
FET 특징논리 레벨 게이트
드레인 - 소스 전압(Vdss)60V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C5.3A
Rds On(최대) @ Id, Vgs58m옴 @ 4.3A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)3V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs20nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds665pF @ 15V
전력 - 최대3.1W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭)
공급 장치 패키지8-SO
표준 포장 2,500
다른 이름SI9945BDY-T1-GE3-ND
SI9945BDY-T1-GE3TR
SI9945BDYT1GE3
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)SI9945BDY-T1-GE3
관련 링크SI9945BDY, SI9945BDY-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통
SI9945BDY-T1-GE3 의 관련 제품
RES SMD 3.48K OHM 0.1% 1/8W 0805 TNPW08053K48BETA.pdf
RES 22.0 OHM 7W 5% AXIAL C722RJT.pdf
IC KEYLESS ENTRY/GO 28TSSOP PCF7953PTTM1AC1800.pdf
KT2526 ORIGINAL QFN KT2526.pdf
EMQ300-12-16X14 VICOR SMD or Through Hole EMQ300-12-16X14.pdf
W7675ZC020-140 WESTCODE SMD or Through Hole W7675ZC020-140.pdf
MGS-86576 ORIGINAL SMD or Through Hole MGS-86576.pdf
12063C684KATM AVX SMD or Through Hole 12063C684KATM.pdf
R474I2120DQ01M KEMET SMD or Through Hole R474I2120DQ01M.pdf
JAGASM AE GENESIS BGA JAGASM AE.pdf
MM1285 MM SOP MM1285.pdf