창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI9435BDY-T1-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI9435BDY | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1660 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.1A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 42m옴 @ 5.7A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 24nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
전력 - 최대 | 1.3W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | SI9435BDY-T1-E3TR SI9435BDYT1E3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI9435BDY-T1-E3 | |
관련 링크 | SI9435BDY, SI9435BDY-T1-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | BFC246718224 | 0.22µF Film Capacitor 160V 250V Polyester, Metallized Radial 0.492" L x 0.228" W (12.50mm x 5.80mm) | BFC246718224.pdf | |
![]() | RT1206CRE073KL | RES SMD 3K OHM 0.25% 1/4W 1206 | RT1206CRE073KL.pdf | |
![]() | RG2012V-1471-D-T5 | RES SMD 1.47K OHM 0.5% 1/8W 0805 | RG2012V-1471-D-T5.pdf | |
![]() | EXB-38V200JV | RES ARRAY 4 RES 20 OHM 1206 | EXB-38V200JV.pdf | |
![]() | G9131-18T21UF | G9131-18T21UF GMT SOT89-3 | G9131-18T21UF.pdf | |
![]() | 3510J | 3510J BB CAN8 | 3510J.pdf | |
![]() | OP227FP | OP227FP ADI DIP | OP227FP.pdf | |
![]() | JG-074 | JG-074 ORIGINAL SMD or Through Hole | JG-074.pdf | |
![]() | PSTM8S103K3T6C | PSTM8S103K3T6C ST SMD or Through Hole | PSTM8S103K3T6C.pdf | |
![]() | 1N4017 | 1N4017 MICROSEMI SMD or Through Hole | 1N4017.pdf |