창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI9407BDY-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI9407BDY | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
카탈로그 페이지 | 1660 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.7A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 120m옴 @ 3.2A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 22nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 600pF @ 30V | |
전력 - 최대 | 5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | SI9407BDY-T1-GE3TR SI9407BDYT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI9407BDY-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI9407BDY, SI9407BDY-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | CKRB4820P | SOLID STATE RELAY | CKRB4820P.pdf | |
![]() | RT0201FRE0733RL | RES SMD 33 OHM 1% 1/20W 0201 | RT0201FRE0733RL.pdf | |
TBPLLNS001PGUCV | Pressure Sensor 1 PSI (6.89 kPa) Vented Gauge Male - 0.13" (3.18mm) Tube 0 mV ~ 7.5 mV (5V) 6-SMD, No Lead, Top Port | TBPLLNS001PGUCV.pdf | ||
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![]() | PM-IND024 | PM-IND024 HOLE SMD or Through Hole | PM-IND024.pdf | |
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![]() | SY88422LMG | SY88422LMG MICREL MSOP | SY88422LMG.pdf | |
![]() | LAT676-R1S2-1-Z | LAT676-R1S2-1-Z OSRAM SMD or Through Hole | LAT676-R1S2-1-Z.pdf |