창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SI8902EDB-T2-E1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SI8902EDB | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N 채널(이중) 공통 드레인 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.9A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | - | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 980µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
| 전력 - 최대 | 1W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-MICRO FOOT®CSP | |
| 공급 장치 패키지 | 6-Micro Foot™ | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | SI8902EDB-T2-E1TR SI8902EDBT2E1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SI8902EDB-T2-E1 | |
| 관련 링크 | SI8902EDB, SI8902EDB-T2-E1 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | 471M200J032 | 471M200J032 cd SMD or Through Hole | 471M200J032.pdf | |
![]() | A501S0060001 | A501S0060001 WICKMANN SMD or Through Hole | A501S0060001.pdf | |
![]() | MB90050PF-G-001-E1 | MB90050PF-G-001-E1 FUJITSU QFP | MB90050PF-G-001-E1.pdf | |
![]() | P89C51RD2=W78E516 | P89C51RD2=W78E516 NXP SMD or Through Hole | P89C51RD2=W78E516.pdf | |
![]() | V23274-A1801-X011 | V23274-A1801-X011 LEM SMD or Through Hole | V23274-A1801-X011.pdf | |
![]() | MSM83C154-854 | MSM83C154-854 OKI DIP40 | MSM83C154-854.pdf | |
![]() | CM2830GDIM89TR 1.8V | CM2830GDIM89TR 1.8V CM SOT89 | CM2830GDIM89TR 1.8V.pdf | |
![]() | LM355ACH | LM355ACH HARRIS CAN3 | LM355ACH.pdf | |
![]() | K4S563233F-FE75 | K4S563233F-FE75 SAMSUNG SMD or Through Hole | K4S563233F-FE75.pdf | |
![]() | EPM7182EQC160-15 | EPM7182EQC160-15 ALTERA SMD or Through Hole | EPM7182EQC160-15.pdf | |
![]() | NPC1210-015D-3S | NPC1210-015D-3S NPC SMD or Through Hole | NPC1210-015D-3S.pdf |