Vishay BC Components SI8851EDB-T2-E1

SI8851EDB-T2-E1
제조업체 부품 번호
SI8851EDB-T2-E1
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
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MOSFET P-CH 20V 7.7A MICRO FOOT
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내부 부품 번호EIS-SI8851EDB-T2-E1
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서SI8851EDB
비디오 파일MOSFET Technologies for Power Conversion
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Vishay Siliconix
계열TrenchFET®
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET P-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)20V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C7.7A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs8m옴 @ 7A, 4.5V
Id 기준 Vgs(th)(최대)1V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs180nC(8V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds6900pF @ 10V
전력 - 최대660mW
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스30-XFBGA
공급 장치 패키지Power Micro Foot®
표준 포장 3,000
다른 이름SI8851EDB-T2-E1TR
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)SI8851EDB-T2-E1
관련 링크SI8851EDB, SI8851EDB-T2-E1 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통
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