창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI8824EDB-T2-E1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI8824EDB | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
주요제품 | Si8824EDB N-Ch Chipscale MOSFET | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | - | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 75m옴 @ 1A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 800mV @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 6nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 400pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 500mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 4-XFBGA | |
공급 장치 패키지 | 4-Microfoot | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI8824EDB-T2-E1TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI8824EDB-T2-E1 | |
관련 링크 | SI8824EDB, SI8824EDB-T2-E1 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
12061A121JAT2A | 120pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | 12061A121JAT2A.pdf | ||
C1812C242KCGACTU | 2400pF 500V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1812(4532 미터법) 0.177" L x 0.126" W(4.50mm x 3.20mm) | C1812C242KCGACTU.pdf | ||
VJ1808A471KBEAT4X | 470pF 500V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1808(4520 미터법) 0.186" L x 0.080" W(4.72mm x 2.03mm) | VJ1808A471KBEAT4X.pdf | ||
NLV25T-022J-PFD | 22nH Unshielded Wirewound Inductor 420mA 370 mOhm Max 1008 (2520 Metric) | NLV25T-022J-PFD.pdf | ||
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3951200044 | 3951200044 WICKMANN SMD or Through Hole | 3951200044.pdf |