창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SI8660AB-B-IS1R | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 2A(4주) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | Si86xx | |
| 종류 | 절연기 | |
| 제품군 | 디지털 분리기 | |
| 제조업체 | Silicon Labs | |
| 계열 | 자동차, AEC-Q100 | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | * | |
| 기술 | 정전 용량 결합 | |
| 유형 | 범용 | |
| 분리형 전력 | 없음 | |
| 채널 개수 | 6 | |
| 입력 - 사이드 1/사이드 2 | 6/0 | |
| 채널 유형 | 단방향 | |
| 전압 - 분리 | 2500Vrms | |
| 공통 모드 일시 내성(최소) | 35kV/µs | |
| 데이터 속도 | 1Mbps | |
| 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) | 35ns, 35ns | |
| 펄스 폭 왜곡(최대) | 25ns | |
| 상승/하강 시간(통상) | 2.5ns, 2.5ns | |
| 전압 - 공급 | 2.5 V ~ 5.5 V | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 125°C | |
| 패키지/케이스 | 16-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 16-SOIC | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SI8660AB-B-IS1R | |
| 관련 링크 | SI8660AB-, SI8660AB-B-IS1R 데이터 시트, Silicon Labs 에이전트 유통 | |
![]() | JMK212ABJ106MK-T | 10µF 6.3V 세라믹 커패시터 X5R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | JMK212ABJ106MK-T.pdf | |
![]() | 445W31D14M31818 | 14.31818MHz ±30ppm 수정 18pF 50옴 0°C ~ 50°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445W31D14M31818.pdf | |
![]() | DSC1001AE5-007.6800T | 7.68MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.8 V ~ 3.3 V 6.3mA Standby (Power Down) | DSC1001AE5-007.6800T.pdf | |
![]() | 74LV245ADW | 74LV245ADW TI SMD or Through Hole | 74LV245ADW.pdf | |
![]() | NMI-X2100 | NMI-X2100 NEC DIP-28 | NMI-X2100.pdf | |
![]() | MDD220-08 | MDD220-08 IXYS SMD or Through Hole | MDD220-08.pdf | |
![]() | ISL97650ARRTZ | ISL97650ARRTZ INTERSIL QFN | ISL97650ARRTZ.pdf | |
![]() | INA208AIDG4 | INA208AIDG4 TI SMD or Through Hole | INA208AIDG4.pdf | |
![]() | BAV20WS-V-GS18 | BAV20WS-V-GS18 VIS SMD or Through Hole | BAV20WS-V-GS18.pdf | |
![]() | EDI88512LPA35CB | EDI88512LPA35CB EDI DIP | EDI88512LPA35CB.pdf | |
![]() | 2SC5029-Y(T) | 2SC5029-Y(T) TOSHIBA SMD or Through Hole | 2SC5029-Y(T).pdf | |
![]() | HR91170A | HR91170A ORIGINAL DIP | HR91170A .pdf |