Vishay BC Components SI8499DB-T2-E1

SI8499DB-T2-E1
제조업체 부품 번호
SI8499DB-T2-E1
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET P-CH 20V 16A MICROFOOT
데이터 시트 다운로드
다운로드
SI8499DB-T2-E1 가격 및 조달

가능 수량

17550 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 220.91097
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 SI8499DB-T2-E1 재고가 있습니다. 우리는 Vishay BC Components 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Vishay BC Components 전자 부품 전문. SI8499DB-T2-E1 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. SI8499DB-T2-E1가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
SI8499DB-T2-E1 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
SI8499DB-T2-E1 매개 변수
내부 부품 번호EIS-SI8499DB-T2-E1
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서SI8499DB
비디오 파일MOSFET Technologies for Power Conversion
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Vishay Siliconix
계열TrenchFET®
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET P-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)20V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C16A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs32m옴 @ 1.5A, 4.5V
Id 기준 Vgs(th)(최대)1.3V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs30nC(5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds1300pF @ 10V
전력 - 최대13W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스6-MICRO FOOT™
공급 장치 패키지6-Micro Foot™
표준 포장 3,000
다른 이름SI8499DB-T2-E1TR
SI8499DBT2E1
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)SI8499DB-T2-E1
관련 링크SI8499DB, SI8499DB-T2-E1 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통
SI8499DB-T2-E1 의 관련 제품
100µF 63V Aluminum Capacitors Radial, Can 2 Ohm @ 120Hz 2000 Hrs @ 105°C B41851A8107M.pdf
1489232-2 AMP/TYCO SMD or Through Hole 1489232-2.pdf
L7915AN STM T0220-3 L7915AN.pdf
K4H510438B-TCBO SAMSUNG TSOP K4H510438B-TCBO.pdf
CS20 14.7456MHZ NDK SMD or Through Hole CS20 14.7456MHZ.pdf
LM20902DR2G NS SMD or Through Hole LM20902DR2G.pdf
DG835ADJ SILICONIX SMD or Through Hole DG835ADJ.pdf
SNJ54ALS574AT TI CDIP20 SNJ54ALS574AT.pdf
EC5BU-24S12 Cincon SMD or Through Hole EC5BU-24S12.pdf
UWP1H010MCL NICHICON SMD or Through Hole UWP1H010MCL.pdf
PA8424A OKI QFP PA8424A.pdf