Vishay BC Components SI8487DB-T1-E1

SI8487DB-T1-E1
제조업체 부품 번호
SI8487DB-T1-E1
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET P-CH 30V MICROFOOT
데이터 시트 다운로드
다운로드
SI8487DB-T1-E1 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 220.91097
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 SI8487DB-T1-E1 재고가 있습니다. 우리는 Vishay BC Components 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Vishay BC Components 전자 부품 전문. SI8487DB-T1-E1 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. SI8487DB-T1-E1가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
SI8487DB-T1-E1 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
SI8487DB-T1-E1 매개 변수
내부 부품 번호EIS-SI8487DB-T1-E1
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서SI8487DB
비디오 파일MOSFET Technologies for Power Conversion
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Vishay Siliconix
계열TrenchFET®
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET P-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C-
Rds On(최대) @ Id, Vgs31m옴 @ 2A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)1.2V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs80nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds2240pF @ 15V
전력 - 최대1.1W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스4-UFBGA
공급 장치 패키지4-Microfoot
표준 포장 3,000
다른 이름SI8487DB-T1-E1TR
SI8487DBT1E1
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)SI8487DB-T1-E1
관련 링크SI8487DB, SI8487DB-T1-E1 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통
SI8487DB-T1-E1 의 관련 제품
MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SOT-363 SI1922EDH-T1-GE3.pdf
39µH Shielded Wirewound Inductor 1.1A 130 mOhm Max Nonstandard PM74SH-390M-RC.pdf
ZT211LFEA ORIGINAL 28 SSOP ZT211LFEA.pdf
LSC442890P MOTOROLA DIP40 LSC442890P.pdf
STRCI2WIN-V1.1 STARC QFP STRCI2WIN-V1.1.pdf
SDB1204-3R5P-LF coilmaster NA SDB1204-3R5P-LF.pdf
DS52-0004 MACOM SOP-8 DS52-0004.pdf
XC9236A25DMR TOREX SOT23-5 XC9236A25DMR.pdf
68286-48/016 PULSE SMD or Through Hole 68286-48/016.pdf
012FZ01 - SHARP TO252 012FZ01 -.pdf
TLP124-TPR TOS SOP4 TLP124-TPR.pdf