창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI8487DB-T1-E1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI8487DB | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | - | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 31m옴 @ 2A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 80nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2240pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 1.1W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 4-UFBGA | |
공급 장치 패키지 | 4-Microfoot | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI8487DB-T1-E1TR SI8487DBT1E1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI8487DB-T1-E1 | |
관련 링크 | SI8487DB, SI8487DB-T1-E1 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
SI1922EDH-T1-GE3 | MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SOT-363 | SI1922EDH-T1-GE3.pdf | ||
PM74SH-390M-RC | 39µH Shielded Wirewound Inductor 1.1A 130 mOhm Max Nonstandard | PM74SH-390M-RC.pdf | ||
ZT211LFEA | ZT211LFEA ORIGINAL 28 SSOP | ZT211LFEA.pdf | ||
LSC442890P | LSC442890P MOTOROLA DIP40 | LSC442890P.pdf | ||
STRCI2WIN-V1.1 | STRCI2WIN-V1.1 STARC QFP | STRCI2WIN-V1.1.pdf | ||
SDB1204-3R5P-LF | SDB1204-3R5P-LF coilmaster NA | SDB1204-3R5P-LF.pdf | ||
DS52-0004 | DS52-0004 MACOM SOP-8 | DS52-0004.pdf | ||
XC9236A25DMR | XC9236A25DMR TOREX SOT23-5 | XC9236A25DMR.pdf | ||
68286-48/016 | 68286-48/016 PULSE SMD or Through Hole | 68286-48/016.pdf | ||
012FZ01 - | 012FZ01 - SHARP TO252 | 012FZ01 -.pdf | ||
TLP124-TPR | TLP124-TPR TOS SOP4 | TLP124-TPR.pdf |