창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI8472DB-T2-E1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI8472DB-T2-E1 | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | - | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 44m옴 @ 1.5A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 900mV @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 18nC(8V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 630pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 780mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-UFBGA | |
공급 장치 패키지 | 6-Micro Foot™ | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI8472DB-T2-E1-ND SI8472DB-T2-E1TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI8472DB-T2-E1 | |
관련 링크 | SI8472DB, SI8472DB-T2-E1 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | 416F25022ITT | 25MHz ±20ppm 수정 6pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F25022ITT.pdf | |
![]() | CMF60110R00FHEB | RES 110 OHM 1W 1% AXIAL | CMF60110R00FHEB.pdf | |
![]() | 7370615 | 7370615 RFMD SOP | 7370615.pdf | |
![]() | 6C82467GX | 6C82467GX ORIGINAL BGA | 6C82467GX.pdf | |
![]() | SKW20N60HS | SKW20N60HS Infineon IGBT | SKW20N60HS.pdf | |
![]() | GRM32EB11C106KC31L | GRM32EB11C106KC31L MURATA SMD or Through Hole | GRM32EB11C106KC31L.pdf | |
![]() | SPVN210101 | SPVN210101 ALPS SMD or Through Hole | SPVN210101.pdf | |
![]() | ACH3218-470 | ACH3218-470 TDK 3218 | ACH3218-470.pdf | |
![]() | SMG6.3VB102M8X11LL | SMG6.3VB102M8X11LL UNITED DIP | SMG6.3VB102M8X11LL.pdf | |
![]() | AMZV0100J133 | AMZV0100J133 ORIGINAL DIP | AMZV0100J133.pdf | |
![]() | K136-K | K136-K ORIGINAL TO-92 | K136-K.pdf | |
![]() | NFM21PC104R1E3D 104-0805-4P | NFM21PC104R1E3D 104-0805-4P MURATA SMD or Through Hole | NFM21PC104R1E3D 104-0805-4P.pdf |