Vishay BC Components SI8461DB-T2-E1

SI8461DB-T2-E1
제조업체 부품 번호
SI8461DB-T2-E1
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET P-CH 20V MICROFOOT
데이터 시트 다운로드
다운로드
SI8461DB-T2-E1 가격 및 조달

가능 수량

11550 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 222.39360
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 SI8461DB-T2-E1 재고가 있습니다. 우리는 Vishay BC Components 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Vishay BC Components 전자 부품 전문. SI8461DB-T2-E1 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. SI8461DB-T2-E1가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
SI8461DB-T2-E1 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
SI8461DB-T2-E1 매개 변수
내부 부품 번호EIS-SI8461DB-T2-E1
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서SI8461DB
비디오 파일MOSFET Technologies for Power Conversion
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Vishay Siliconix
계열TrenchFET®
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET P-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)20V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C-
Rds On(최대) @ Id, Vgs100m옴 @ 1.5A, 4.5V
Id 기준 Vgs(th)(최대)1V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs24nC(8V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds610pF @ 10V
전력 - 최대780mW
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스4-XFBGA, CSPBGA
공급 장치 패키지4-Microfoot
표준 포장 3,000
다른 이름SI8461DB-T2-E1TR
SI8461DBT2E1
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)SI8461DB-T2-E1
관련 링크SI8461DB, SI8461DB-T2-E1 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통
SI8461DB-T2-E1 의 관련 제품
ELECTROLYTIC 225TXK450MFH.pdf
DIODE GEN PURP 15KV 50MA AXIAL SCHJ15K.pdf
MMC650STB18 MMC SMD or Through Hole MMC650STB18.pdf
30H8001391 (V1.0) HTC BGA 30H8001391 (V1.0).pdf
D3179 MURATA SIP10 D3179.pdf
X5323ZAP INTERSIL SOP8 X5323ZAP.pdf
LTW-2L3DV5S-012A LITEON 2010 LTW-2L3DV5S-012A.pdf
LT11071 LT SOP-8 LT11071.pdf
TL494ING ON SMD or Through Hole TL494ING.pdf
XC2S400E XILINX BGA XC2S400E.pdf
ST-7TA100OHM(101) COPAL SMD or Through Hole ST-7TA100OHM(101).pdf
GRM21BR60J225ME19L MURATA SMD or Through Hole GRM21BR60J225ME19L.pdf