Vishay BC Components SI8429DB-T1-E1

SI8429DB-T1-E1
제조업체 부품 번호
SI8429DB-T1-E1
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET P-CH 8V 11.7A 2X2 4-MFP
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내부 부품 번호EIS-SI8429DB-T1-E1
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서SI8429DB
비디오 파일MOSFET Technologies for Power Conversion
주요제품MOSFETs Designed for On-Resistance Ratings at 1.2 V
카탈로그 페이지 1659 (KR2011-KO PDF)
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Vishay Siliconix
계열TrenchFET®
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET P-Chan, 금속 산화물
FET 특징논리 레벨 게이트, 1.2V 구동
드레인 - 소스 전압(Vdss)8V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C11.7A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs35m옴 @ 1A, 4.5V
Id 기준 Vgs(th)(최대)800mV @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs26nC(5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds1640pF @ 4V
전력 - 최대6.25W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스4-XFBGA, CSPBGA
공급 장치 패키지4-Microfoot
표준 포장 3,000
다른 이름SI8429DB-T1-E1TR
SI8429DBT1E1
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)SI8429DB-T1-E1
관련 링크SI8429DB, SI8429DB-T1-E1 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통
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