창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI8410DB-T2-E1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | Si8410DB | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
주요제품 | Si8410DB Chipscale N-Channel MOSFET | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | - | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 37m옴 @ 1.5A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 850mV @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 16nC(8V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 620pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 780mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 4-UFBGA | |
공급 장치 패키지 | 4-Micro Foot(1x1) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI8410DB-T2-E1TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI8410DB-T2-E1 | |
관련 링크 | SI8410DB, SI8410DB-T2-E1 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
ECW-H16112JV | 1100pF Film Capacitor 1600V (1.6kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.709" L x 0.256" W (18.00mm x 6.50mm) | ECW-H16112JV.pdf | ||
BH6172GU | BH6172GU ROHM SMD or Through Hole | BH6172GU.pdf | ||
SP0504BAHT TEL:82766440 | SP0504BAHT TEL:82766440 LITTELFU SMD or Through Hole | SP0504BAHT TEL:82766440.pdf | ||
FF14-16A-R11B | FF14-16A-R11B DDK SMD or Through Hole | FF14-16A-R11B.pdf | ||
CMSH3-40LTR13 | CMSH3-40LTR13 Centralsemi SMC | CMSH3-40LTR13.pdf | ||
20-85742 | 20-85742 N/Y SOP28W | 20-85742.pdf | ||
LN2351P332PR++ | LN2351P332PR++ natlinear SOT89-3L | LN2351P332PR++.pdf | ||
M51951BML-300 | M51951BML-300 NEC SOP4 | M51951BML-300.pdf | ||
2SC2546-D,E,F | 2SC2546-D,E,F ORIGINAL SMD or Through Hole | 2SC2546-D,E,F.pdf | ||
248-502 | 248-502 WGO SMD or Through Hole | 248-502.pdf | ||
NCP4586SN28T1 | NCP4586SN28T1 ONS SMD or Through Hole | NCP4586SN28T1.pdf |