창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI7962DP-T1-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI7962DP | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7.1A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 17m옴 @ 11.1A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 70nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
전력 - 최대 | 1.4W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® SO-8 이중 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 Dual | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI7962DP-T1-E3TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI7962DP-T1-E3 | |
관련 링크 | SI7962DP, SI7962DP-T1-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | 381EL221M200H012 | 220µF 200V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 800 mOhm @ 120Hz 7000 Hrs @ 105°C | 381EL221M200H012.pdf | |
![]() | HSA52R0J | RES CHAS MNT 2 OHM 5% 10W | HSA52R0J.pdf | |
![]() | ERJ-S03F1803V | RES SMD 180K OHM 1% 1/10W 0603 | ERJ-S03F1803V.pdf | |
![]() | CRCW2512634KFKEGHP | RES SMD 634K OHM 1% 1.5W 2512 | CRCW2512634KFKEGHP.pdf | |
![]() | D45VH8 | D45VH8 FSC TO-220 | D45VH8.pdf | |
![]() | ZOV-07D181K | ZOV-07D181K ZOV&VCR SMD or Through Hole | ZOV-07D181K.pdf | |
![]() | ADXL330KCPZ#(LF) | ADXL330KCPZ#(LF) ADI LFCSP16 | ADXL330KCPZ#(LF).pdf | |
![]() | C1608NP0229CGT | C1608NP0229CGT darfon INSTOCKPACK4000 | C1608NP0229CGT.pdf | |
![]() | MPCS430F1222TI | MPCS430F1222TI N/A QFN | MPCS430F1222TI.pdf | |
![]() | SAB82532H10V3.2A | SAB82532H10V3.2A SIEMENS SMD or Through Hole | SAB82532H10V3.2A.pdf | |
![]() | 78RT120 | 78RT120 IR SMD or Through Hole | 78RT120.pdf | |
![]() | C3605+ | C3605+ TOSHIBA TO-92 | C3605+.pdf |