창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI7900AEDN-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI7900AEDN | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 N 채널(이중) 공통 드레인 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 26m옴 @ 8.5A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 900mV @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 16nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
전력 - 최대 | 1.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® 1212-8 이중 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® 1212-8 Dual | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI7900AEDN-T1-GE3TR SI7900AEDNT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI7900AEDN-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI7900AEDN, SI7900AEDN-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
3386S-1-122 | 1.2k Ohm 0.5W, 1/2W PC Pins Through Hole Trimmer Potentiometer Cermet 1 Turn Side Adjustment | 3386S-1-122.pdf | ||
HP600 | HP600 HP SOP8 | HP600.pdf | ||
UPD12115T1F-AT-JM | UPD12115T1F-AT-JM NEC TO-252 | UPD12115T1F-AT-JM.pdf | ||
EM6027P-42C33 | EM6027P-42C33 OK SMD or Through Hole | EM6027P-42C33.pdf | ||
R1LV0408CSB-7LCB00H | R1LV0408CSB-7LCB00H RENESAS TSOP32 | R1LV0408CSB-7LCB00H.pdf | ||
BPH2H5.6*2.7*8.5 | BPH2H5.6*2.7*8.5 TAI-TECH SMD or Through Hole | BPH2H5.6*2.7*8.5.pdf | ||
PIN4D28-1R8M | PIN4D28-1R8M EROCORE NA | PIN4D28-1R8M.pdf | ||
pbl38621/2 r2 | pbl38621/2 r2 ERICSSON SMD or Through Hole | pbl38621/2 r2.pdf | ||
NE58233 | NE58233 NEC SMD or Through Hole | NE58233.pdf | ||
PS2532L-3 | PS2532L-3 NEC DIP-12 | PS2532L-3.pdf | ||
XC4003E3VQ100I | XC4003E3VQ100I XILINX QFP100 | XC4003E3VQ100I.pdf |