창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI7892BDP-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | Si7892BDP | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1657 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 15A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.2m옴 @ 25A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 40nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3775pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 1.8W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® SO-8 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI7892BDP-T1-GE3TR SI7892BDPT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI7892BDP-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI7892BDP, SI7892BDP-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
224MKP275KB | 0.22µF Film Capacitor 310V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.709" L x 0.236" W (18.00mm x 6.00mm) | 224MKP275KB.pdf | ||
CRCW121086K6FKEA | RES SMD 86.6K OHM 1% 1/2W 1210 | CRCW121086K6FKEA.pdf | ||
CRCW080511K5FKTB | RES SMD 11.5K OHM 1% 1/8W 0805 | CRCW080511K5FKTB.pdf | ||
TMP88CU74FG-5JH2 | TMP88CU74FG-5JH2 TOSHIBA QFP | TMP88CU74FG-5JH2.pdf | ||
S-81225SGUP-DQH-T1 | S-81225SGUP-DQH-T1 SEIKO SOT89 | S-81225SGUP-DQH-T1.pdf | ||
215H25AKAB | 215H25AKAB AT SMD or Through Hole | 215H25AKAB.pdf | ||
2MBI50KB-060 | 2MBI50KB-060 FUJI SMD or Through Hole | 2MBI50KB-060.pdf | ||
IS63LV1024L-12JL// | IS63LV1024L-12JL// ISSI SMD or Through Hole | IS63LV1024L-12JL//.pdf | ||
S11B-ZR-SM4-TFZ | S11B-ZR-SM4-TFZ JST SMD or Through Hole | S11B-ZR-SM4-TFZ.pdf | ||
RG231-3.5-4D2V1W-81 | RG231-3.5-4D2V1W-81 HUNPAIENTERPRISE SMD or Through Hole | RG231-3.5-4D2V1W-81.pdf |