창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI7884BDP-T1-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI7884BDP | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 58A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7.5m옴 @ 16A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 77nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3540pF @ 20V | |
전력 - 최대 | 46W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® SO-8 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI7884BDP-T1-E3-ND SI7884BDP-T1-E3TR SI7884BDPT1E3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI7884BDP-T1-E3 | |
관련 링크 | SI7884BDP, SI7884BDP-T1-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
MALREKA00JG322MG0K | 220µF 160V Aluminum Capacitors Radial, Can 900 mOhm @ 120Hz 2000 Hrs @ 85°C | MALREKA00JG322MG0K.pdf | ||
445I35G16M00000 | 16MHz ±30ppm 수정 30pF 40옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445I35G16M00000.pdf | ||
416F40022AST | 40MHz ±20ppm 수정 시리즈 100옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F40022AST.pdf | ||
HMC550ETR | HMC550ETR Hittite SOT26 | HMC550ETR.pdf | ||
IRF520NL.S | IRF520NL.S IR SOT-252 | IRF520NL.S.pdf | ||
STBB520 | STBB520 EIC SMA | STBB520.pdf | ||
SKKT250/16 | SKKT250/16 ORIGINAL SMD or Through Hole | SKKT250/16.pdf | ||
EC-N054 | EC-N054 TOSHIBA BGA-416 | EC-N054.pdf | ||
AP1530SG | AP1530SG DIODES SOP8 | AP1530SG.pdf | ||
LTC4217CDHC#PBF/ID | LTC4217CDHC#PBF/ID LT DFN | LTC4217CDHC#PBF/ID.pdf | ||
MCP120T-315I/SN | MCP120T-315I/SN Microchip SMD or Through Hole | MCP120T-315I/SN.pdf |