창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI7880ADP-T1-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | Si7880ADP | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 40A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3m옴 @ 20A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 125nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5600pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 83W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® SO-8 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI7880ADP-T1-E3-ND SI7880ADP-T1-E3TR SI7880ADPT1E3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI7880ADP-T1-E3 | |
관련 링크 | SI7880ADP, SI7880ADP-T1-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | 200USC1000MEFCSN25X45 | 1000µF 200V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 3000 Hrs @ 85°C | 200USC1000MEFCSN25X45.pdf | |
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![]() | T86C475M020EBAS | 4.7µF Molded Tantalum Capacitors 20V 2312 (6032 Metric) 2 Ohm 0.236" L x 0.126" W (6.00mm x 3.20mm) | T86C475M020EBAS.pdf | |
![]() | BDT | BDT MICROCHIP QFN-8P | BDT.pdf | |
![]() | 59353 | 59353 AMP SOP8 | 59353.pdf | |
![]() | MB40200V2-A99 | MB40200V2-A99 SUNON SMD or Through Hole | MB40200V2-A99.pdf | |
![]() | 1000*2000*1000 | 1000*2000*1000 ORIGINAL SMD or Through Hole | 1000*2000*1000.pdf | |
![]() | SDA5550-M | SDA5550-M MICRONAS TRAY | SDA5550-M.pdf | |
![]() | VY22546A6 | VY22546A6 NXP BGA | VY22546A6.pdf | |
![]() | PK2500HB160 | PK2500HB160 ORIGINAL SMD or Through Hole | PK2500HB160.pdf |