창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI7862ADP-T1-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI7862ADP | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 16V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 18A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3m옴 @ 29A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 80nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7340pF @ 8V | |
전력 - 최대 | 1.9W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® SO-8 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI7862ADP-T1-E3 | |
관련 링크 | SI7862ADP, SI7862ADP-T1-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | MVH10VC221MH10TP | 220µF 10V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 1 Ohm 2000 Hrs @ 125°C | MVH10VC221MH10TP.pdf | |
![]() | 7A-18.432MAHE-T | 18.432MHz ±30ppm 수정 12pF 50옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD, 무연(DFN, LCC) | 7A-18.432MAHE-T.pdf | |
![]() | HMC372LP3E | RF Amplifier IC CDMA, GSM, EDGE, W-CDMA 700MHz ~ 1GHz | HMC372LP3E.pdf | |
![]() | HM62W16255HCLLT-12 | HM62W16255HCLLT-12 ORIGINAL TSSOP | HM62W16255HCLLT-12.pdf | |
![]() | IDJ-D15-6T | IDJ-D15-6T ORIGINAL SMD or Through Hole | IDJ-D15-6T.pdf | |
![]() | CD74HC221M96G4 | CD74HC221M96G4 TI SOP16 | CD74HC221M96G4.pdf | |
![]() | LP2950L-5.0V-2 | LP2950L-5.0V-2 UTC SOP-8 | LP2950L-5.0V-2.pdf | |
![]() | KU80386EX33-TC | KU80386EX33-TC INTEL QFP | KU80386EX33-TC.pdf | |
![]() | CY7C277-40WMB | CY7C277-40WMB CYPRESS DIP | CY7C277-40WMB.pdf | |
![]() | EL333GD | EL333GD EVERLIGHT SMD or Through Hole | EL333GD.pdf | |
![]() | ICVE21184E070R100R | ICVE21184E070R100R ORIGINAL SMD or Through Hole | ICVE21184E070R100R.pdf |