창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SI7862ADP-T1-E3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SI7862ADP | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 16V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 18A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3m옴 @ 29A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 80nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7340pF @ 8V | |
| 전력 - 최대 | 1.9W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | PowerPAK® SO-8 | |
| 공급 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SI7862ADP-T1-E3 | |
| 관련 링크 | SI7862ADP, SI7862ADP-T1-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | 1812SA221JATBE | 220pF 1500V(1.5kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1812(4532 미터법) 0.177" L x 0.126" W(4.50mm x 3.20mm) | 1812SA221JATBE.pdf | |
![]() | BFC247990164 | 0.056µF Film Capacitor 200V 400V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.728" L x 0.256" W (18.50mm x 6.50mm) | BFC247990164.pdf | |
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![]() | 16A2M32E2X55-DT. | 16A2M32E2X55-DT. AGERE QFP | 16A2M32E2X55-DT..pdf | |
![]() | 524191490 | 524191490 Molex SMD or Through Hole | 524191490.pdf | |
![]() | SMT-LJ101S | SMT-LJ101S SONY SMD or Through Hole | SMT-LJ101S.pdf | |
![]() | 331S | 331S FAIRCHILD SOP-8 | 331S.pdf | |
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![]() | HM9101AYD | HM9101AYD HMC DIP18 | HM9101AYD.pdf | |
![]() | HEC3357-012010 | HEC3357-012010 HOSIDEN SMD or Through Hole | HEC3357-012010.pdf |