창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SI7858ADP-T1-E3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | Si7858ADP | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 | |
| 카탈로그 페이지 | 1657 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 12V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.6m옴 @ 29A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 80nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5700pF @ 6V | |
| 전력 - 최대 | 1.9W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | PowerPAK® SO-8 | |
| 공급 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | SI7858ADP-T1-E3TR SI7858ADPT1E3 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SI7858ADP-T1-E3 | |
| 관련 링크 | SI7858ADP, SI7858ADP-T1-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | E66-00139P1 | E66-00139P1 Microsoft SMD or Through Hole | E66-00139P1.pdf | |
![]() | TLP284-1 | TLP284-1 TOS SOP4 | TLP284-1.pdf | |
![]() | 1-2008683-4 | 1-2008683-4 TYCO SMD or Through Hole | 1-2008683-4.pdf | |
![]() | 80.82.0240 | 80.82.0240 FINDER DIP-SOP | 80.82.0240.pdf | |
![]() | LC4256V-5T100 | LC4256V-5T100 ORIGINAL QFP | LC4256V-5T100.pdf | |
![]() | LH61665AS60 | LH61665AS60 SHARP SMD or Through Hole | LH61665AS60.pdf | |
![]() | ACF321825-682-T 682-1210 | ACF321825-682-T 682-1210 TDK SMD or Through Hole | ACF321825-682-T 682-1210.pdf | |
![]() | MVR1278C-232MLD | MVR1278C-232MLD COIL SMD | MVR1278C-232MLD.pdf | |
![]() | LLL317R71C334MA01L | LLL317R71C334MA01L MURATA SMD or Through Hole | LLL317R71C334MA01L.pdf | |
![]() | IX0930 | IX0930 SHARP DIP | IX0930.pdf |