창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI7858ADP-T1-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | Si7858ADP | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1657 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 12V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.6m옴 @ 29A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 80nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5700pF @ 6V | |
전력 - 최대 | 1.9W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® SO-8 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI7858ADP-T1-E3TR SI7858ADPT1E3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI7858ADP-T1-E3 | |
관련 링크 | SI7858ADP, SI7858ADP-T1-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | 445C35C30M00000 | 30MHz ±30ppm 수정 16pF 30옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445C35C30M00000.pdf | |
![]() | ALD210808SCL | MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC | ALD210808SCL.pdf | |
![]() | RT0805CRB075K6L | RES SMD 5.6K OHM 0.25% 1/8W 0805 | RT0805CRB075K6L.pdf | |
![]() | HM62V128BLT-12 | HM62V128BLT-12 HITACHI TSOP | HM62V128BLT-12.pdf | |
![]() | TSKSM339AMW | TSKSM339AMW AT DLCC44 | TSKSM339AMW.pdf | |
![]() | 9630MJH | 9630MJH AMS DIP40 | 9630MJH.pdf | |
![]() | SCP107M3-A0-20C | SCP107M3-A0-20C TOKO DIP | SCP107M3-A0-20C.pdf | |
![]() | CS0805-R20G-S | CS0805-R20G-S ORIGINAL SMD or Through Hole | CS0805-R20G-S.pdf | |
![]() | SWI0603CTR27J | SWI0603CTR27J AOBA SMD | SWI0603CTR27J.pdf | |
![]() | J071 | J071 ORIGINAL SMD or Through Hole | J071.pdf | |
![]() | CC611616A | CC611616A PRX 160A1600VDIODE | CC611616A.pdf | |
![]() | MIC5357-SMYMME | MIC5357-SMYMME MICREL SMD or Through Hole | MIC5357-SMYMME.pdf |