창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-SI7852DP-TI-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | SI7852DP-TI-E3 | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | QFN | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | SI7852DP-TI-E3 | |
관련 링크 | SI7852DP, SI7852DP-TI-E3 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
![]() | 445I35A24M57600 | 24.576MHz ±30ppm 수정 10pF 40옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445I35A24M57600.pdf | |
![]() | RT2010FKE0721RL | RES SMD 21 OHM 1% 1/2W 2010 | RT2010FKE0721RL.pdf | |
![]() | IS42S16100C17TL-TR | IS42S16100C17TL-TR ISSI TSSOP | IS42S16100C17TL-TR.pdf | |
![]() | M60011-0131J | M60011-0131J MIT PLCC | M60011-0131J.pdf | |
![]() | HZU18B2TRF /18 | HZU18B2TRF /18 RENESAS SOD-32318V | HZU18B2TRF /18.pdf | |
![]() | ST5410J/B | ST5410J/B ST CDIP | ST5410J/B.pdf | |
![]() | LM1117IDT-3.3V | LM1117IDT-3.3V NS TO-252 | LM1117IDT-3.3V.pdf | |
![]() | PQ60018HPB80NNS | PQ60018HPB80NNS SYNQOR SMD or Through Hole | PQ60018HPB80NNS.pdf | |
![]() | 74ACT652 | 74ACT652 HAR SMD | 74ACT652.pdf | |
![]() | 13V 1/4W | 13V 1/4W ORIGINAL SMD or Through Hole | 13V 1/4W.pdf | |
![]() | SG2011N | SG2011N SG DIP16 | SG2011N.pdf | |
![]() | P85N55 | P85N55 ST TO220 | P85N55.pdf |