창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI7852DP-T1-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI7852DP | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
카탈로그 페이지 | 1658 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 80V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7.6A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 16.5m옴 @ 10A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA(최소) | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 41nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
전력 - 최대 | 1.9W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® SO-8 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI7852DP-T1-E3TR SI7852DPT1E3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI7852DP-T1-E3 | |
관련 링크 | SI7852DP, SI7852DP-T1-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | 5KP12A-E3/51 | TVS DIODE 12VWM 19.9VC P600 | 5KP12A-E3/51.pdf | |
![]() | F74283PC | F74283PC FSC DIP-16 | F74283PC.pdf | |
![]() | MT4LC8M8E1TW-7 | MT4LC8M8E1TW-7 MICRON SMD or Through Hole | MT4LC8M8E1TW-7.pdf | |
![]() | ROS-755+ | ROS-755+ Mini-circuits SMD or Through Hole | ROS-755+.pdf | |
![]() | VC7CCE100-77.7600MT | VC7CCE100-77.7600MT HOSONIC SMD or Through Hole | VC7CCE100-77.7600MT.pdf | |
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![]() | C1-97MF | C1-97MF N/A SMD or Through Hole | C1-97MF.pdf | |
![]() | TM080SV-22L01 | TM080SV-22L01 ORIGINAL N A | TM080SV-22L01.pdf | |
![]() | W99683CF | W99683CF ORIGINAL QFP | W99683CF.pdf | |
![]() | LT1937ES | LT1937ES ORIGINAL SMD or Through Hole | LT1937ES.pdf | |
![]() | TC7SET04F(T5LTIP-T) | TC7SET04F(T5LTIP-T) TOSHIBA SOT-23 | TC7SET04F(T5LTIP-T).pdf | |
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