창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI7852ADP-T1-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI7852ADP | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 80V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 30A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 17m옴 @ 10A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 45nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1825pF @ 40V | |
전력 - 최대 | 62.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® SO-8 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | Q5367467 SI7852ADP-T1-E3-ND SI7852ADP-T1-E3TR SI7852ADPT1E3 T1229935 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI7852ADP-T1-E3 | |
관련 링크 | SI7852ADP, SI7852ADP-T1-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | TPA270 | THYRISTOR 270V 150A DO15 | TPA270.pdf | |
![]() | 216L0SAAGA53 RAGE/MOBILITY/128-M/ | 216L0SAAGA53 RAGE/MOBILITY/128-M/ ATI BGA | 216L0SAAGA53 RAGE/MOBILITY/128-M/.pdf | |
![]() | CRT0603-BX-ELF | CRT0603-BX-ELF BOURNS SMD or Through Hole | CRT0603-BX-ELF.pdf | |
![]() | 14017A | 14017A ELMOS SSOP | 14017A.pdf | |
![]() | 2SC2618RDTR | 2SC2618RDTR HITACHI SOT23 | 2SC2618RDTR.pdf | |
![]() | HT2C512-45 | HT2C512-45 HOLTEK PLCC-32 | HT2C512-45.pdf | |
![]() | ESA22.1184F20D55 | ESA22.1184F20D55 HOSONIC ORIGINAL | ESA22.1184F20D55.pdf | |
![]() | APT2X6ID120J | APT2X6ID120J APT SMD or Through Hole | APT2X6ID120J.pdf | |
![]() | EPM1128SQC100-15N | EPM1128SQC100-15N N/A SMD or Through Hole | EPM1128SQC100-15N.pdf | |
![]() | BJ:ASs | BJ:ASs INFINEON ASS 343 | BJ:ASs.pdf | |
![]() | G6B-2014P-US-12VDC/DC24V/DC5V | G6B-2014P-US-12VDC/DC24V/DC5V ORIGINAL SMD or Through Hole | G6B-2014P-US-12VDC/DC24V/DC5V.pdf | |
![]() | C078F | C078F ORIGINAL SOT23-6 | C078F.pdf |