창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI7850DP-T1-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI7850DP | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
카탈로그 페이지 | 1658 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6.2A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 22m옴 @ 10.3A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 27nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
전력 - 최대 | 1.8W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® SO-8 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI7850DP-T1-E3TR SI7850DPT1E3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI7850DP-T1-E3 | |
관련 링크 | SI7850DP, SI7850DP-T1-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | 4726-33 | 33nH Unshielded Wirewound Inductor 3A Nonstandard | 4726-33.pdf | |
Y16073R10000E9R | RES SMD 3.1 OHM 1/2W 2516 WIDE | Y16073R10000E9R.pdf | ||
![]() | CMF604K9900FLEK | RES 4.99K OHM 1W 1% AXIAL | CMF604K9900FLEK.pdf | |
![]() | CK05BX104KTR1 | CK05BX104KTR1 AVX 50V 1UF 10 T R | CK05BX104KTR1.pdf | |
![]() | MX7520JCWE+ | MX7520JCWE+ MAXIM SMD or Through Hole | MX7520JCWE+.pdf | |
![]() | 2SC3883 | 2SC3883 TOSHIBA TO3P-9 | 2SC3883.pdf | |
![]() | RAV12209 | RAV12209 ERICSSON SMD or Through Hole | RAV12209.pdf | |
![]() | 53268-1270 | 53268-1270 MOLEX SMD or Through Hole | 53268-1270.pdf | |
![]() | IR2339N. | IR2339N. SHARP SOP-14 | IR2339N..pdf | |
![]() | THS10064IDAG4 | THS10064IDAG4 TI TSSOP-32 | THS10064IDAG4.pdf | |
![]() | SC541568CDW | SC541568CDW MOT SMD or Through Hole | SC541568CDW.pdf | |
![]() | KB15MKW01-6F-JB | KB15MKW01-6F-JB NKKSwitches SMD or Through Hole | KB15MKW01-6F-JB.pdf |