창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI7848BDP-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI7848BDP | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1658 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 47A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 9m옴 @ 16A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 50nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2000pF @ 20V | |
전력 - 최대 | 36W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® SO-8 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI7848BDP-T1-GE3TR SI7848BDPT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI7848BDP-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI7848BDP, SI7848BDP-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | ASTMHTV-100.000MHZ-ZR-E | 100MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V Enable/Disable | ASTMHTV-100.000MHZ-ZR-E.pdf | |
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![]() | AC03000002401JAC00 | RES 2.4K OHM 3W 5% AXIAL | AC03000002401JAC00.pdf | |
![]() | 1N6779 | 1N6779 APTMICROSEMI TO-257 | 1N6779.pdf | |
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![]() | LB12478G1 | LB12478G1 SANYO DIP | LB12478G1.pdf | |
![]() | SN74CBT3384PW | SN74CBT3384PW TI SOP | SN74CBT3384PW.pdf | |
![]() | HYS72T256900EP-3S-C2 | HYS72T256900EP-3S-C2 ORIGINAL SMD or Through Hole | HYS72T256900EP-3S-C2.pdf | |
![]() | TT142N-12-679170-02 | TT142N-12-679170-02 AEG SMD or Through Hole | TT142N-12-679170-02.pdf | |
![]() | AT17C65-10PU | AT17C65-10PU ATM DIP | AT17C65-10PU.pdf | |
![]() | K6X1008 | K6X1008 SAMSUNG SOP32 | K6X1008.pdf |