창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SI7848BDP-T1-GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SI7848BDP | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 | |
| 카탈로그 페이지 | 1658 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 47A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 9m옴 @ 16A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 50nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2000pF @ 20V | |
| 전력 - 최대 | 36W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | PowerPAK® SO-8 | |
| 공급 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | SI7848BDP-T1-GE3TR SI7848BDPT1GE3 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SI7848BDP-T1-GE3 | |
| 관련 링크 | SI7848BDP, SI7848BDP-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | B41043A5337M | 330µF 25V Aluminum Capacitors Radial, Can 3000 Hrs @ 105°C | B41043A5337M.pdf | |
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![]() | TS4256-12NC | TS4256-12NC ORIGINAL DIP | TS4256-12NC.pdf | |
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![]() | MAX6306UK26D1-T | MAX6306UK26D1-T MAXIM SOT23-5 | MAX6306UK26D1-T.pdf | |
![]() | 3-1461491-7 | 3-1461491-7 TE SMD or Through Hole | 3-1461491-7.pdf | |
![]() | 7N40E | 7N40E PHILIPS TO-220 | 7N40E.pdf | |
![]() | BL125-51RL-TAGF | BL125-51RL-TAGF SCG- SMD or Through Hole | BL125-51RL-TAGF.pdf | |
![]() | W78E52B-40DL | W78E52B-40DL WINBOND DIP | W78E52B-40DL.pdf |