창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI7818DN-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | Si7818DN | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
카탈로그 페이지 | 1655 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.2A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 135m옴 @ 3.4A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 30nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
전력 - 최대 | 1.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® 1212-8 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® 1212-8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI7818DN-T1-GE3TR SI7818DNT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI7818DN-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI7818DN-, SI7818DN-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | SR151A750JAA | 75pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.150" L x 0.100" W(3.81mm x 2.54mm) | SR151A750JAA.pdf | |
![]() | IXFN60N60 | MOSFET N-CH 600V 60A SOT-227B | IXFN60N60.pdf | |
![]() | CLP0228FPXXXZ01A | CONVERTER | CLP0228FPXXXZ01A.pdf | |
![]() | 3314G-1-103ELF | 3314G-1-103ELF BOURNS SMD | 3314G-1-103ELF.pdf | |
![]() | LBL05AF-25-A | LBL05AF-25-A UTC SMD or Through Hole | LBL05AF-25-A.pdf | |
![]() | IDT6167SA70LI | IDT6167SA70LI IDT LCC | IDT6167SA70LI.pdf | |
![]() | EI414822J1 | EI414822J1 AKI QFP84 | EI414822J1.pdf | |
![]() | SOCKET462. | SOCKET462. MOLEX CPU462 | SOCKET462..pdf | |
![]() | XP6214-(TX) | XP6214-(TX) Panasonic SOT-363 | XP6214-(TX).pdf | |
![]() | TAJD336M010RMJ | TAJD336M010RMJ VUD SMD or Through Hole | TAJD336M010RMJ.pdf | |
![]() | RTGDO115 | RTGDO115 ORIGINAL CAN | RTGDO115.pdf | |
![]() | MAX1478EAP | MAX1478EAP MAXIM SOP | MAX1478EAP.pdf |