창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SI7818DN-T1-E3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | Si7818DN | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 카탈로그 페이지 | 1655 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.2A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 135m옴 @ 3.4A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 30nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
| 전력 - 최대 | 1.5W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | PowerPAK® 1212-8 | |
| 공급 장치 패키지 | PowerPAK® 1212-8 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | SI7818DN-T1-E3TR SI7818DNT1E3 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SI7818DN-T1-E3 | |
| 관련 링크 | SI7818DN, SI7818DN-T1-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | CDBC320-G | DIODE SCHOTTKY 20V 3A DO214AB | CDBC320-G.pdf | |
![]() | B530C-13 | DIODE SCHOTTKY 30V 5A SMC | B530C-13.pdf | |
![]() | RNF14BAE909R | RES 909 OHM 1/4W .1% AXIAL | RNF14BAE909R.pdf | |
![]() | CMF551K8200BER6 | RES 1.82K OHM 1/2W 0.1% AXIAL | CMF551K8200BER6.pdf | |
![]() | M27C256B-10B1 | M27C256B-10B1 ST DIP | M27C256B-10B1.pdf | |
![]() | STCA0602N9 | STCA0602N9 FSL NI- | STCA0602N9.pdf | |
![]() | 72V36110L7-5PFGI | 72V36110L7-5PFGI IDT SMD or Through Hole | 72V36110L7-5PFGI.pdf | |
![]() | EVN5CSX50B13 | EVN5CSX50B13 PANASONIC SMD | EVN5CSX50B13.pdf | |
![]() | BB620E-6327 | BB620E-6327 SIEMENS 1206 | BB620E-6327.pdf | |
![]() | MSD 06-02 | MSD 06-02 ORIGINAL SMD or Through Hole | MSD 06-02.pdf | |
![]() | UCC2813N-004 | UCC2813N-004 TI SMD or Through Hole | UCC2813N-004.pdf |