창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI7818DN-T1-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | Si7818DN | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
카탈로그 페이지 | 1655 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.2A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 135m옴 @ 3.4A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 30nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
전력 - 최대 | 1.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® 1212-8 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® 1212-8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI7818DN-T1-E3TR SI7818DNT1E3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI7818DN-T1-E3 | |
관련 링크 | SI7818DN, SI7818DN-T1-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | 06035J4R7CAWTR | 4.7pF Thin Film Capacitor 50V 0603 (1608 Metric) 0.063" L x 0.032" W (1.60mm x 0.81mm) | 06035J4R7CAWTR.pdf | |
![]() | B78148S1104J9 | 100µH Unshielded Wirewound Inductor 370mA 1.7 Ohm Max Radial | B78148S1104J9.pdf | |
![]() | AR0603FR-075K6L | RES SMD 5.6K OHM 1% 1/10W 0603 | AR0603FR-075K6L.pdf | |
![]() | RN73C1E4K32BTG | RES SMD 4.32KOHM 0.1% 1/16W 0402 | RN73C1E4K32BTG.pdf | |
![]() | SKQHFCE010 | SKQHFCE010 ALPS SMD or Through Hole | SKQHFCE010.pdf | |
![]() | CT-L61DT81-1L-AA | CT-L61DT81-1L-AA ORIGINAL TQFP | CT-L61DT81-1L-AA.pdf | |
![]() | 3CG8F | 3CG8F ORIGINAL B-4 | 3CG8F.pdf | |
![]() | 24FHZ-SM1-S-G-1-TB(F) | 24FHZ-SM1-S-G-1-TB(F) JST SMD or Through Hole | 24FHZ-SM1-S-G-1-TB(F).pdf | |
![]() | 630V0.1U.104 | 630V0.1U.104 ORIGINAL SMD or Through Hole | 630V0.1U.104.pdf | |
![]() | IW1697-05 | IW1697-05 iwatt SOT23-6 | IW1697-05.pdf | |
![]() | HE8811(SG) | HE8811(SG) OPNEXT SG1 | HE8811(SG).pdf | |
![]() | UPD9210GC | UPD9210GC NEC QFP | UPD9210GC.pdf |