창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI7806ADN-T1-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI7806ADN | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
카탈로그 페이지 | 1655 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 9A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 11m옴 @ 14A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 20nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
전력 - 최대 | 1.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® 1212-8 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® 1212-8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI7806ADN-T1-E3TR SI7806ADNT1E3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI7806ADN-T1-E3 | |
관련 링크 | SI7806ADN, SI7806ADN-T1-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | WF135272WL60238BJ2 | 6000pF 16000V(16kV) 세라믹 커패시터 비표준, 스크루 단자 5.315" Dia(135.00mm) | WF135272WL60238BJ2.pdf | |
![]() | 101990062 | AC CURRENT SENSOR 25A MAX | 101990062.pdf | |
![]() | M9036 | M9036 ORIGINAL DIP8 | M9036.pdf | |
![]() | U1508S47A | U1508S47A UNISON SMD or Through Hole | U1508S47A.pdf | |
![]() | MBM27C512 20 | MBM27C512 20 FUJITSU SMD or Through Hole | MBM27C512 20.pdf | |
![]() | 65061K206A | 65061K206A SWITCHCRAFT SMD or Through Hole | 65061K206A.pdf | |
![]() | 75637P | 75637P Intersil TO-220 | 75637P.pdf | |
![]() | D77220L | D77220L NEC DIP SOP | D77220L.pdf | |
![]() | ERJL12KF47MU | ERJL12KF47MU panasonic SMD | ERJL12KF47MU.pdf | |
![]() | 74LV1GT125ACME-E | 74LV1GT125ACME-E RENESAS CMPAK | 74LV1GT125ACME-E.pdf | |
![]() | M485JN | M485JN ORIGINAL DIP | M485JN.pdf | |
![]() | HN28F101P-12 | HN28F101P-12 HITACHI DIP | HN28F101P-12.pdf |