창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI7738DP-T1-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI7738DP | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 30A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 38m옴 @ 7.7A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 53nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2100pF @ 75V | |
전력 - 최대 | 96W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® SO-8 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI7738DP-T1-E3 | |
관련 링크 | SI7738DP, SI7738DP-T1-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | ASD1-4.000MHZ-LR-T | 4MHz HCMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3V 4mA Enable/Disable | ASD1-4.000MHZ-LR-T.pdf | |
![]() | 766163510GP | RES ARRAY 8 RES 51 OHM 16SOIC | 766163510GP.pdf | |
![]() | LSC413960CDWR2 | LSC413960CDWR2 ORIGINAL SOP | LSC413960CDWR2.pdf | |
![]() | GDZ20B/D6 | GDZ20B/D6 VISHAY SOD-323 | GDZ20B/D6.pdf | |
![]() | NCP4625DSN25T1G | NCP4625DSN25T1G ON SOT23-5 | NCP4625DSN25T1G.pdf | |
![]() | 2SC4276 | 2SC4276 ORIGINAL TO-3P | 2SC4276.pdf | |
![]() | E20/10/5-3C90-A160 | E20/10/5-3C90-A160 FERROX SMD or Through Hole | E20/10/5-3C90-A160.pdf | |
![]() | MB29F016A-70PFTN | MB29F016A-70PFTN FUJITSU TSOP | MB29F016A-70PFTN.pdf | |
![]() | TC1185-3.3VCT713(N5) | TC1185-3.3VCT713(N5) MICROCHIP SOT23-5P | TC1185-3.3VCT713(N5).pdf | |
![]() | GO6600-N-B2 | GO6600-N-B2 NVIDIA SMD or Through Hole | GO6600-N-B2.pdf | |
![]() | RC1206JR0718K0 | RC1206JR0718K0 PHYCO SMD or Through Hole | RC1206JR0718K0.pdf | |
![]() | RY610012A | RY610012A SCHRACK SMD or Through Hole | RY610012A.pdf |